IGBT電源工作原理
2024.05.05
IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）是一種復合型功率半導體器件，其工作原理是通過(guò)控制柵極電壓來(lái)控制其集電極和發(fā)射極之間的電流。在IGBT中，柵極電壓控制著(zhù)一個(gè)由N型和P型半導體組成的雙極結構，從而控制電流的流動(dòng)。IGBT的優(yōu)點(diǎn)是具有較高的開(kāi)關(guān)速度、較高的功率密度和較低的損耗。因此，IGBT廣泛應用于電力電子設備、電機控制、變頻器、逆變器等領(lǐng)域。
